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Bruker FilmTek CD橢偏儀

簡要描述：Bruker FilmTek CD橢偏儀
——多模態臨界尺寸測量和先進薄膜計量學
FilmTekTM CD光學臨界尺寸系統是我們解決方案，可用于1x nm設計節點及更高級別的全自動化、高通量CD測量和高級薄膜分析。該系統同時提供已知和*未知結構的實時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek CD利用多模測量技術來滿足與開發和生產中最復雜的半導體設計特征相關的挑戰性需求。

所在城市：上海市
廠商性質：代理商
更新日期：2024-12-02
訪問量：3085

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品牌	Bruker/布魯克	產地類別	進口
單次測量時間	2s	光斑尺寸	50 µmmm
光譜范圍	190 nm - 1000 nmnm	應用領域	石油,電子/電池,綜合
膜厚范圍	0 ? to 150 μm

Bruker FilmTek CD橢偏儀

——多模態臨界尺寸測量和先進薄膜計量學

FilmTekTM CD光學臨界尺寸系統是我們的解決方案，可用于1x nm設計節點及更高級別的全自動化、高通量CD測量和高級薄膜分析。該系統同時提供已知和*未知結構的實時多層堆疊特性和CD測量。

FilmTek CD利用多模測量技術來滿足與開發和生產中最復雜的半導體設計特征相關的挑戰性需求。這項技術能夠測量極小的線寬，在低于10納米的范圍內進行高精度測量。

依賴傳統橢圓偏振儀或反射儀技術的現有計量工具在實時準確解析CD測量的能力方面受到限制，需要在設備研究和開發期間生成繁瑣的庫。FilmTek CD通過獲得多模態測量技術克服了這一限制，該技術甚至為*未知的結構提供了精確的單一解決方案。

FilmTek CD包括具有快速、實時優化功能的專有衍射軟件。實時優化允許用戶以最小的設置時間和配方開發輕松測量未知結構，同時避免與庫生成相關的延遲和復雜度。

測量能力：

·厚度、折射率和光盤計量
·未知薄膜的光學常數表征
·超薄膜疊層厚度
·廣泛的關鍵尺寸測量應用，包括金屬柵極凹槽、高k凹槽、側壁角、抗蝕劑高度、硬掩模高度、溝槽和接觸輪廓以及間距行走

系統組件：

標準：

可選：

用于在1x nm設計節點及更遠處實時多層堆疊特性和CD測量的多模測量技術
具有專有嚴格耦合波分析（RCWA）的多角度散射測量
正入射橢圓偏振光譜法
旋轉補償器設計的光譜廣義橢圓偏振法（4×4矩陣廣義法）
多角度、DUV-NIR偏振光譜反射（Rs、Rp、Rsp和Rps）
全CD參數測量，包括周期、線寬、溝槽深度和側壁角度
獨立測量薄膜厚度和折射率
拋物面鏡技術–在50×50µm功能范圍內測量小光斑尺寸
快速、實時優化允許以最短的設置時間實現廣泛的應用程序（無需生成庫）
模式識別（Cognex）
盒式到盒式晶片處理
FOUP或SMIF兼容

SECS/GEM

為了適應廣泛的預算和最終用途應用，該系統還可作為手動負載、臺式設備用于研發

典型應用包括：

半導體研發與生產

技術規格

膜厚范圍	0 ? to 150 µm
膜厚精度	NIST可追溯標準氧化物的±1.0?，100?至1µm
光譜范圍	190 nm - 1000 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測量	50 µm
光譜分辨率	0.3 nm
光源	調節氘鹵素燈（壽命2000小時）
探測器類型	2048像素索尼線陣CCD陣列
電腦	帶Windows的多核處理器™ 10操作系統
測量時間	~2 sec (e.g., oxide film)

性能規格

Film(s)	厚	測量參數	精確 (1σ)
氧化物/硅	0 - 1000 ?	t	0.03 ?
	1000 - 500,000 ?	t	0.005%
	1000 ?	t , n	0.2 ? / 0.0001
	15,000 ?	t , n	0.5 ? / 0.0001
	150.000 ?	t , n	1.5 ? / 0.00001
氮化物 /硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
氮化物 /硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0005
光刻膠 / 硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
光刻膠 / 硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0002
多晶硅 /氧化物/硅	200 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.1 ?
多晶硅 /氧化物/硅	500 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.0005

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